Struktura i właściwości półprzewodników typu AIII BV modyfikowanych za pomocą implantacji dużymi dawkami jonów / Wojciech Wierzchowski [et al.].
Rodzaj materiału:
TekstSerie: Monografie - Instytut Energii Atomowej ; wol. 9Szczegóły wydania: Otwock-Świerk : Instytut Energii Atomowej, 2006.Opis: [6], 81 s. : il. (w tym kolor.) ; 25 cmTyp zawartości: - Tekst
- Bez urządzenia pośredniczącego
- Wolumin
- 8391480984
| Typ dokumentu | Obecna biblioteka | Kolekcja | Sygnatura | Status | Kod kreskowy | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Niewypożyczane | Biblioteka Politechniki Poznańskiej w czytelni | Czytelnia | A 155702 | Dostępny | 0000063533 |
Liczba zamówień: 0
Bibliogr. s. 78-81.