Widok standardowy Widok MARC Widok ISBD

Struktura i właściwości półprzewodników typu AIII BV modyfikowanych za pomocą implantacji dużymi dawkami jonów / Wojciech Wierzchowski [et al.].

Współtwórca(-y): Rodzaj materiału: TekstTekstSerie: Monografie - Instytut Energii Atomowej ; wol. 9Szczegóły wydania: Otwock-Świerk : Instytut Energii Atomowej, 2006.Opis: [6], 81 s. : il. (w tym kolor.) ; 25 cmTyp zawartości:
  • Tekst
Tryb odtwarzania:
  • Bez urządzenia pośredniczącego
Typ nośnika:
  • Wolumin
ISBN:
  • 8391480984
Tematy:
Egzemplarze
Typ dokumentu Obecna biblioteka Kolekcja Sygnatura Status Kod kreskowy
Niewypożyczane Biblioteka Politechniki Poznańskiej w czytelni Czytelnia A 155702 Dostępny 0000063533
Liczba zamówień: 0

Bibliogr. s. 78-81.

Udostępnij