| 000 | 02611cam a2200457 i 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | zz2005908686 | ||
| 003 | NUKAT | ||
| 005 | 20251228170153.0 | ||
| 008 | 050518s1997 pl a |100 0 pol c | ||
| 035 | _a(OCoLC)749778023 | ||
| 040 |
_aGD 015/JK _cGD 015/JK _dGD 015/GP _dGD 015/EOs _dŁ U/AG |
||
| 041 | 0 |
_apol _aeng _arus |
|
| 080 |
_a537.5 : _a621.38](06) |
||
| 111 | 2 |
_aELTE '97 _n(6 ; _d1997 ; _cKrynica). _996271 |
|
| 245 | 1 | 0 |
_aTechnologia elektronowa : _bVI konferencja naukowa, Krynica 6.05 - 9.05. 1997 : ELTE '97. _nT. 1 / _c[red. nauk. wyd.: Elżbieta Schabowska-Osiowska ; materiały do dr. przygot.: Elżbieta Schabowska-Osiowska, Zbigniew Szklarski] ; Katedra Elektroniki Akademii Górniczo-Hutniczej w Krakowie. |
| 246 | 3 | 0 | _aELTE '97 |
| 260 |
_aKraków : _bAGH, _c1997. |
||
| 300 |
_a716 s. : _brys., wykr. ; _c24 cm. |
||
| 336 | _aTekst | ||
| 337 | _aBez urządzenia pośredniczącego | ||
| 338 | _aWolumin | ||
| 500 | _aNa 4 s. okł. zbędny ISSN : 1427-3357. | ||
| 504 | _aBibliogr. przy ref. | ||
| 546 |
_aTekst częśc. ang. i ros. _bAlfabet cyryl. |
||
| 650 | 7 |
_aElektronika _vkonferencje. _2kaba _919831 |
|
| 650 | 7 |
_aElektronika _xmateriały _vkonferencje. _2kaba _932775 |
|
| 650 | 7 |
_aMikroelektronika _vkonferencje. _2kaba _933786 |
|
| 700 | 1 |
_aSchabowska-Osiowska, Elżbieta. _eRed. _996273 |
|
| 700 | 1 |
_aSzklarski, Zbigniew. _eOprac. _996272 |
|
| 710 | 2 |
_aAkademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica (Kraków). _4pbl _93535 |
|
| 973 |
_aGrządziel, Lucyna. _tStanowisko technologiczno-pomiarowe do badania in situ własności elektronowych cienkich warstw ftalocyjanin metali przejściowych / |
||
| 973 |
_aKończak, Sławomir. _tDyfuzja antymonu z rozwirowywanych źródeł domieszek / |
||
| 973 |
_aŁoś, Stanisław _tTechnologia otrzymywania struktur MIS z dwuwarstwowym dielektrykiem / |
||
| 973 |
_aPruszowski, Zbigniew. _tWytwarzanie rezystorów precyzyjnych na bazie warstw NI-P oraz NI-W-P otrzymywanych metodą chemicznej redukcji / |
||
| 973 |
_aŁoś, Stanisław _tParametry elektrofizyczne struktur MIS z GaAs z podwójnym dielektrykiem / |
||
| 973 |
_aLipa, Dominika. _tWłasności elektronowe i sensorowe atomowo czystej powierzchni SnO2(110) poddanej ekspozycji w tlenie / |
||
| 973 |
_aGirycki, Adam. _tDziało atomowego wodoru do oczyszczania powierzchni GaAs(100) dla celów epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) / |
||
| 973 |
_aKochowski, Stanisław. _tAnaliza częstotliwościowych charakterystyk pojemności i konduktancji struktur metal-SiO2-GaAs / |
||
| 999 |
_c74947 _d74947 |
||